金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，金阳（泉州）新能源科技有限公司申请一项名为“具有特定第二半导体膜层的背接触电池及制作方法和应用”的专利，公开号CN 118825111 A，申请日期为2024年9月。

　　专利摘要显示，本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定第二半导体膜层的背接触电池及制作方法和应用，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体膜层和第二半导体膜层，第一半导体膜层包含隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层，第二半导体膜层包含沿背面向外依次设置的非晶态氧化钼膜层和结晶态氧化钼膜层，结晶态氧化钼膜层的晶化率为60%-90%，非晶态氧化钼膜层和结晶态氧化钼膜层的厚度之比为1：0.6-3，且隧穿氧化层的厚度与非晶态氧化钼膜层的厚度的比例为1：5-30BCK体育官网。本发明能兼顾较好的钝化效果和导电效果，从而提升电池转换效率，可用沉积设备成本低，利于产线大规模推广。BCK体育官网